| 圖片 |
型號(hào) |
品牌 |
封裝 |
數(shù)量 |
描述 |
PDF資料 |
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MIEB101H1200EH |
IXYS
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E3 |
40 |
IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3 |
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| 參數(shù)：IXYS|盒|-|在售|-|全橋反相器|1200 V|183 A|630 W|2.2V @ 15V，100A|300 μA|7.43 nF @ 25 V|標(biāo)準(zhǔn)|... |
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VS-GT75YF120UT |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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- |
108 |
ECONO - 4 PACK IGBT |
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| 參數(shù)：Vishay General Semiconductor - Diodes Division|盒|-|在售|溝槽型場(chǎng)截止|全橋|1200 V|118 A|431... |
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NXH450B100H4Q2F2PG |
onsemi
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56-PIM（93x47） |
35 |
1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED |
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| 參數(shù)：onsemi|托盤|-|在售|-|2 個(gè)獨(dú)立式|1000 V|101 A|234 W|2.25V @ 15V，150A|600 μA|9.342 nF @ 20... |
