| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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STGB18N40LZ-1 | STMicroelectronics | I2PAK（TO-262） | IGBT 晶體管 EAS 180 mJ-400V IGBT | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：360 V，柵極/... | ||||||
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STGB18N40LZT4 | STMicroelectronics | D2PAK | 288 | IGBT 晶體管 EAS 180 mJ-400 V | |
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：360 V，柵極/... | ||||||
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STGB19NC60HDT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶體管 N Ch 600V 19A | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/... | ||||||
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STGB19NC60KDT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶體管 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/... | ||||||
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STGB19NC60KT4 | STMicroelectronics | D2PAK | 2,833 | IGBT 晶體管 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT | |
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/... | ||||||
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STGB19NC60WT4 | STMicroelectronics | D2PAK | 2,367 | IGBT 晶體管 19A 6V ULT FAST IGBT | |
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/... | ||||||
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STGB20NB32LZT4 | STMicroelectronics | D2PAK-3 | IGBT 晶體管 N-Ch Clamped 20 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，RoHS：否，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：2 V，集電極—射極飽和電壓：1.1 V，柵極... | ||||||
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STGB20NB37LZ | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶體管 N-Channel 20 Amp IGBT | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：375 V，柵極/... | ||||||
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STGB20NB37LZT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶體管 N-Ch Clamped 20 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：20 V，集電極—... | ||||||
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STGB20NB41LZT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶體管 N-Ch Clamped 20 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：過(guò)渡期間，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：20 V，集... | ||||||
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STGB20NC60V | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶體管 30 A 600V FAST IGBT | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極... | ||||||
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STGB20NC60VT4 | STMicroelectronics | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶體管 30 A 600V FAST IGBT | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，包裝形式：Reel，... | ||||||
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STGB30NC60KT4 | STMicroelectronics | D2PAK | 2,932 | IGBT 晶體管 31 A-600 V Rugged IGBT | |
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/... | ||||||
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STGB30NC60WT4 | STMicroelectronics | D2PAK | 865 | IGBT 晶體管 3A 6V ULT FAST IGBT | |
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/... | ||||||
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STGB35N35LZ-1 | STMicroelectronics | I2PAK（TO-262） | 951 | IGBT 晶體管 345V INTERNALLY CLAMPED IGBT | |
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，包裝形式：Tube，... | ||||||
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STGB35N35LZT4 | STMicroelectronics | D2PAK（TO-263） | IGBT 晶體管 EAS 350 mJ 350 V Int clamped IGBT | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：345 V，集電極—射極飽和電壓：1.... | ||||||
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STGB3NB60FDT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 3.0 A | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：否，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極... | ||||||
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STGB3NB60KDT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 6 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極... | ||||||
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STGB3NB60MDT4 | STMicroelectronics | D2PAK-3 | IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 3 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：否，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極... | ||||||
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STGB3NB60SDT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 3 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極... | ||||||
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