| 圖片 |
型號 |
品牌 |
封裝 |
數(shù)量 |
描述 |
PDF資料 |
|---|
|
IXSK80N60B |
Ixys
|
TO-264AA（IXSK） |
|
IGBT 晶體管 80 Amps 600V 2.5 Rds |
|
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和電壓：2.5 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/-... |
|
IXSM40N60A |
Ixys
|
TO-204AA-3 |
|
IGBT 晶體管 40 Amps 600V |
|
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 15... |
|
IXSN35N100U1 |
Ixys
|
SOT-227B |
|
IGBT 晶體管 35 Amps 1000V |
|
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1000 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20... |
|
|
IXSN35N120AU1 |
Ixys
|
SOT-227B |
|
IGBT 晶體管 35 Amps 1200V 4 Rds |
|
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20... |
|
|
IXSN50N60BD2 |
Ixys
|
SOT-227B |
|
IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds |
|
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 ... |
|
|
IXSN50N60BD3 |
Ixys
|
SOT-227B |
|
IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds |
|
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 ... |
|
|
IXSN52N60AU1 |
Ixys
|
SOT-227B |
|
IGBT 晶體管 80 Amps 600V 3.0 Rds |
|
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 ... |
|
|
IXSN55N120A |
Ixys
|
SOT-227B |
|
IGBT 晶體管 80 Amps 1200V 4 Rds |
|
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20... |
|
|
IXSN55N120AU1 |
Ixys
|
SOT-227B |
|
IGBT 晶體管 110 Amps 1200V 4 Rds |
|
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20... |
|
|
IXSN62N60U1 |
Ixys
|
SOT-227B |
|
IGBT 晶體管 90 Amps 600V 2.5 Rds |
|
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 ... |
|
IXSN80N60AU1 |
Ixys
|
SOT-227B |
|
IGBT 晶體管 80 Amps 600V |
|
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 ... |
|
|
IXSN80N60BD1 |
Ixys
|
SOT-227B |
|
IGBT 晶體管 160 Amps 600V 2.5 Rds |
|
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 ... |
|
IXSP10N60B2D1 |
Ixys
|
TO-220-3 |
|
IGBT 晶體管 10 Amps 600V 2.5 Rds |
|
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和電壓：2.5 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/-... |
|
|
IXSP15N120B |
Ixys
|
TO-220-3 |
|
IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.4 Rds |
|
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 15... |
|
|
IXSP20N60B2D1 |
Ixys
|
TO-220-3 |
|
IGBT 晶體管 20 Amps 600V 2.5 Rds |
|
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和電壓：2.5 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/-... |
|
|
IXSP24N60B |
Ixys
|
TO-220-3 |
|
IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.5 Rds |
|
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和電壓：2.5 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：20 ... |
|
|
IXSQ10N60B2D1 |
Ixys
|
TO-3P-3 |
|
IGBT 晶體管 10 Amps 600V 2.5 Rds |
|
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和電壓：2.5 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/-... |
|
IXSQ20N60B2D1 |
Ixys
|
TO-3P |
|
IGBT 晶體管 20 Amps 600V 2.5 Rds |
|
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，集電極—射極飽和電壓：2.5 V，柵極—射極漏泄電流：+/- 100 nA，功率耗... |
|
IXSR35N120BD1 |
Ixys
|
ISOPLUS247? |
|
IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.6 Rds |
|
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電極—射極飽和電壓：3.6 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/... |
|
|
IXSR40N60BD1 |
Ixys
|
ISOPLUS247? |
|
IGBT 晶體管 70 Amps 600V 2.2 Rds |
|
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 15... |
