圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXGR60N60C3C1 | Ixys | ISOPLUS247? | IGBT 晶體管 G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A | ||
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,... | ||||||
![]() |
IXGR60N60C3D1 | Ixys | ISOPLUS247? | IGBT 晶體管 60 Amps 600V | ||
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:2.5 V,柵極/發射極最大電壓:20 ... | ||||||
![]() |
IXGR60N60U1 | Ixys | ISOPLUS247? | IGBT 晶體管 75 Amps 600V 1.7 Rds | ||
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 15... | ||||||
![]() |
IXGR72N60C3D1 | Ixys | ISOPLUS247? | IGBT 晶體管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 75A | ||
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,... | ||||||
![]() |
IXGR80N60B | Ixys | ISOPLUS247? | IGBT 晶體管 85 Amps 600V 2.3 Rds | ||
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數量:30,... | ||||||
![]() |
IXGT10N170 | Ixys | TO-268AA | 76 | IGBT 晶體管 20 Amps 1700 V 4 V Rds | |
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1700 V,集電極—射極飽和電壓:4 V,柵極/發射極最大電壓:20 V... | ||||||
![]() |
IXGT10N170A | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 20 Amps 1700 V 7 V Rds | ||
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1700 V,集電極—射極飽和電壓:6 V,柵極/發射極最大電壓:20 V... | ||||||
![]() |
IXGT12N120A2D1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 24 Amps 1200V 2.7 Rds | ||
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數量:30,... | ||||||
![]() |
IXGT15N120B | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.2 Rds | ||
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V,集電極—射極飽和電壓:3.2 V,柵極/發射極最大電壓:20... | ||||||
![]() |
IXGT15N120BD1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.2 Rds | ||
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V,柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 1... | ||||||
![]() |
IXGT15N120CD1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.8 Rds | ||
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V,柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 1... | ||||||
![]() |
IXGT16N170 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds | ||
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1700 V,集電極—射極飽和電壓:3.5 V,柵極/發射極最大電壓:20... | ||||||
![]() |
IXGT16N170A | Ixys | TO-268AA | 660 | IGBT 晶體管 32 Amps 1700 V 5 V Rds | |
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1700 V,集電極—射極飽和電壓:5 V,柵極/發射極最大電壓:20 V... | ||||||
![]() |
IXGT16N170AH1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 11 Amps 1700V 5 Rds | ||
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,集電極—射極飽和電壓:5 V,封裝形式:TO-268-3,包裝形式:Box,安裝風格:SMD/SMT,工廠包裝數量:30,... | ||||||
![]() |
IXGT20N 60B | Ixys | TO-268AA-3 | IGBT 晶體管 40 Amps 600 V 2.0 V Rds | ||
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 15... | ||||||
![]() |
IXGT20N 60BD1 | Ixys | TO-268AA-3 | IGBT 晶體管 40 Amps 600 V 2.0 V Rds | ||
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 15... | ||||||
![]() |
IXGT20N100 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 40 Amps 1000V 3 Rds | ||
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1000 V,集電極—射極飽和電壓:3 V,柵極/發射極最大電壓:+/- ... | ||||||
![]() |
IXGT20N120 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 3 V Rds | ||
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V,柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 1... | ||||||
![]() |
IXGT20N120B | Ixys | TO-268-3 | IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 3.4 V Rds | ||
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V,集電極—射極飽和電壓:3.4 V,柵極/發射極最大電壓:20... | ||||||
![]() |
IXGT20N120BD1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 3.4 V Rds | ||
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V,柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 1... |
81/203 首頁 上頁 [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] 下頁 尾頁