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點擊查看IXGR60N60C3C1參考圖片 IXGR60N60C3C1 Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶體管 G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,...
點擊查看IXGR60N60C3D1參考圖片 IXGR60N60C3D1 Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶體管 60 Amps 600V
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:2.5 V,柵極/發射極最大電壓:20 ...
點擊查看IXGR60N60U1參考圖片 IXGR60N60U1 Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶體管 75 Amps 600V 1.7 Rds
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 15...
點擊查看IXGR72N60C3D1參考圖片 IXGR72N60C3D1 Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶體管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 75A
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,...
點擊查看IXGR80N60B參考圖片 IXGR80N60B Ixys ISOPLUS247? IGBT 晶體管 85 Amps 600V 2.3 Rds
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數量:30,...
點擊查看IXGT10N170參考圖片 IXGT10N170 Ixys TO-268AA 76 IGBT 晶體管 20 Amps 1700 V 4 V Rds
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1700 V,集電極—射極飽和電壓:4 V,柵極/發射極最大電壓:20 V...
點擊查看IXGT10N170A參考圖片 IXGT10N170A Ixys TO-268AA IGBT 晶體管 20 Amps 1700 V 7 V Rds
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1700 V,集電極—射極飽和電壓:6 V,柵極/發射極最大電壓:20 V...
點擊查看IXGT12N120A2D1參考圖片 IXGT12N120A2D1 Ixys TO-268AA IGBT 晶體管 24 Amps 1200V 2.7 Rds
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,包裝形式:Tube,工廠包裝數量:30,...
點擊查看IXGT15N120B參考圖片 IXGT15N120B Ixys TO-268AA IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.2 Rds
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V,集電極—射極飽和電壓:3.2 V,柵極/發射極最大電壓:20...
點擊查看IXGT15N120BD1參考圖片 IXGT15N120BD1 Ixys TO-268AA IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.2 Rds
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V,柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 1...
點擊查看IXGT15N120CD1參考圖片 IXGT15N120CD1 Ixys TO-268AA IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.8 Rds
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V,柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 1...
點擊查看IXGT16N170參考圖片 IXGT16N170 Ixys TO-268AA IGBT 晶體管 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1700 V,集電極—射極飽和電壓:3.5 V,柵極/發射極最大電壓:20...
點擊查看IXGT16N170A參考圖片 IXGT16N170A Ixys TO-268AA 660 IGBT 晶體管 32 Amps 1700 V 5 V Rds
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1700 V,集電極—射極飽和電壓:5 V,柵極/發射極最大電壓:20 V...
點擊查看IXGT16N170AH1參考圖片 IXGT16N170AH1 Ixys TO-268AA IGBT 晶體管 11 Amps 1700V 5 Rds
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,集電極—射極飽和電壓:5 V,封裝形式:TO-268-3,包裝形式:Box,安裝風格:SMD/SMT,工廠包裝數量:30,...
IXGT20N 60B Ixys TO-268AA-3 IGBT 晶體管 40 Amps 600 V 2.0 V Rds
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 15...
IXGT20N 60BD1 Ixys TO-268AA-3 IGBT 晶體管 40 Amps 600 V 2.0 V Rds
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 15...
點擊查看IXGT20N100參考圖片 IXGT20N100 Ixys TO-268AA IGBT 晶體管 40 Amps 1000V 3 Rds
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1000 V,集電極—射極飽和電壓:3 V,柵極/發射極最大電壓:+/- ...
點擊查看IXGT20N120參考圖片 IXGT20N120 Ixys TO-268AA IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 3 V Rds
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V,柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 1...
IXGT20N120B Ixys TO-268-3 IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 3.4 V Rds
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V,集電極—射極飽和電壓:3.4 V,柵極/發射極最大電壓:20...
點擊查看IXGT20N120BD1參考圖片 IXGT20N120BD1 Ixys TO-268AA IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 3.4 V Rds
參數:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V,柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:+ 1...

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