圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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IRG7R313UPBF | International Rectifier | DPAK | IGBT 晶體管 330V 20A 1.35V PDP | ||
參數(shù):制造商:International Rectifier,RoHS:是,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:330 V,集電極—射極飽和電壓:1.35 V,柵極/發(fā)... | ||||||
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IRG7R313UTRLPBF | International Rectifier | DPAK | IGBT 晶體管 330V 20A 1.35V PDP | ||
參數(shù):制造商:International Rectifier,RoHS:是,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:330 V,集電極—射極飽和電壓:1.35 V,柵極/發(fā)... | ||||||
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IRG7R313UTRPBF | International Rectifier | DPAK | IGBT 晶體管 330V 20A 1.35V PDP | ||
參數(shù):制造商:International Rectifier,RoHS:是,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:330 V,集電極—射極飽和電壓:1.35 V,柵極/發(fā)... | ||||||
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IRG7S313UPBF | International Rectifier | D2PAK | IGBT 晶體管 330V PDP TRENCH IGBT Ultrafast 8 - 30 kHz | ||
參數(shù):制造商:International Rectifier,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:330 V,集電極—射極飽和電壓:1... | ||||||
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IXDH20N120 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶體管 20 Amps 1200V | ||
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,集電極—射極飽和電壓:2.4 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/... | ||||||
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IXDH20N120D1 | Ixys | TO-247AD | 264 | IGBT 晶體管 20 Amps 1200V | |
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,集電極—射極飽和電壓:2.4 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/... | ||||||
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IXDH30N120 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶體管 30 Amps 1200V | ||
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,集電極—射極飽和電壓:2.4 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/... | ||||||
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IXDH30N120D1 | Ixys | TO-247AD | 22 | IGBT 晶體管 30 Amps 1200V | |
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,集電極—射極飽和電壓:2.4 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/... | ||||||
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IXDH35N60B | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶體管 35 Amps 600V | ||
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:2.1 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/-... | ||||||
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IXDH35N60BD1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶體管 35 Amps 600V | ||
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極—射極飽和電壓:2.1 V,柵極/發(fā)射極最大電壓:+/-... | ||||||
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IXDN55N120D1 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶體管 55 Amps 1200V | ||
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single Dual Emitter,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,集電極—射極飽和電壓:2.3 V,... | ||||||
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IXDN75N120 | Ixys | SOT-227B | 59 | IGBT 晶體管 75 Amps 1200V | |
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single Dual Emitter,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,集電極—射極飽和電壓:2.2 V,... | ||||||
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CMPP6028 TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 16,541 | PROGRAMMABLE UJT SOT-23 | |
參數(shù):Central Semiconductor Corp|卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶|-|在售|40V|167 mW|6V|6... | ||||||
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CMPP6027 TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | - | PROGRAMMABLE UJT SOT-23 | ||
參數(shù):Central Semiconductor Corp|卷帶(TR)|*|在售|-|-|-|-|-|-|-|-|... | ||||||
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2N6027 PBFREE | Central Semiconductor Corp | TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA) | PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3 | ||
參數(shù):Central Semiconductor Corp|散裝|-|在售|40V|300 mW|6V|1.6 V|10 nA|50 μA|2 μA|TO-226-3... | ||||||
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2N6028 PBFREE | Central Semiconductor Corp | TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA) | PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3 | ||
參數(shù):Central Semiconductor Corp|散裝|-|在售|40V|300 mW|6V|600 mV|10 nA|25 μA|150 nA|TO-22... | ||||||
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CMPP6027R BK | Central Semiconductor Corp | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | PROGRAMMABLE UJT SOT-23 | ||
參數(shù):Central Semiconductor Corp|散裝|-|停產(chǎn)|40V|167 mW|6V|1.6 V|10 nA|50 μA|2 μA|TO-236-3... | ||||||
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CMPP6028R BK | Central Semiconductor Corp | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | PROGRAMMABLE UJT SOT-23 | ||
參數(shù):Central Semiconductor Corp|散裝|-|停產(chǎn)|40V|167 mW|6V|600 mV|10 nA|25 μA|150 nA|TO-23... | ||||||
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CMPP6027R TR | Central Semiconductor Corp | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | PROGRAMMABLE UJT SOT-23 | ||
參數(shù):Central Semiconductor Corp|卷帶(TR)|-|停產(chǎn)|40V|167 mW|6V|1.6 V|10 nA|50 μA|2 μA|TO-2... | ||||||
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CMPP6028R TR | Central Semiconductor Corp | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | PROGRAMMABLE UJT SOT-23 | ||
參數(shù):Central Semiconductor Corp|卷帶(TR)|-|停產(chǎn)|40V|167 mW|6V|600 mV|10 nA|25 μA|150 nA|T... |
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