圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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BFR 181W E6327 | Infineon Technologies | PG-SOT323 | 射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | ||
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品種類:射頻雙極小信號晶體管,RoHS:是,配置:Single,晶體管極性:NPN,功率耗散:175 mW,最大工作溫度:+ 150... | ||||||
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BFR 181W H6327 | Infineon Technologies | 射頻雙極小信號晶體管 RF BIP TRANSISTOR | |||
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品種類:射頻雙極小信號晶體管,RoHS:是,包裝形式:Reel,系列:BFR181,工廠包裝數(shù)量:3000,零件號別名:BFR181... | ||||||
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BFR 182 E6327 | Infineon Technologies | SOT-23 | 6830 | 射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | |
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品種類:射頻雙極小信號晶體管,RoHS:是,配置:Single,晶體管極性:NPN,最大工作頻率:8000 MHz,集電極—發(fā)射極最... | ||||||
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BFR 182W E6327 | Infineon Technologies | PG-SOT323 | 射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | ||
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品種類:射頻雙極小信號晶體管,RoHS:是,配置:Single,晶體管極性:NPN,最大工作頻率:8000 MHz,集電極—發(fā)射極最... | ||||||
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BFR 182W H6327 | Infineon Technologies | 射頻雙極小信號晶體管 RF BIP TRANSISTOR | |||
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品種類:射頻雙極小信號晶體管,RoHS:是,包裝形式:Reel,系列:BFR182,工廠包裝數(shù)量:3000,零件號別名:BFR182... | ||||||
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BFR 183 E6327 | Infineon Technologies | SOT-23 | 射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor 12V 65mA 450mW | ||
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品種類:射頻雙極小信號晶體管,RoHS:是,配置:Single,晶體管極性:NPN,最大工作頻率:8000 MHz,集電極—發(fā)射極最... | ||||||
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BFR 183W E6327 | Infineon Technologies | PG-SOT323 | 射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | ||
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品種類:射頻雙極小信號晶體管,RoHS:是,配置:Single,晶體管極性:NPN,最大工作頻率:8000 MHz,集電極—發(fā)射極最... | ||||||
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BFR 183W H6327 | Infineon Technologies | 射頻雙極小信號晶體管 RF BIP TRANSISTOR | |||
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品種類:射頻雙極小信號晶體管,RoHS:是,包裝形式:Reel,系列:BFR183,工廠包裝數(shù)量:3000,零件號別名:BFR183... | ||||||
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BFR 193 E6327 | Infineon Technologies | SOT-23 | 14814 | 射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW | |
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品種類:射頻雙極小信號晶體管,RoHS:是,配置:Single,晶體管極性:NPN,最大工作頻率:8000 MHz,集電極—發(fā)射極最... | ||||||
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BFR 193F E6327 | Infineon Technologies | TSFP-3 | 12863 | 射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | |
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品種類:射頻雙極小信號晶體管,RoHS:是,配置:Single,晶體管極性:NPN,最大工作頻率:8 GHz,集電極—發(fā)射極最大電壓... | ||||||
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BFR 193F H6327 | Infineon Technologies | 射頻雙極小信號晶體管 RF BIP TRANSISTOR | |||
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品種類:射頻雙極小信號晶體管,RoHS:是,包裝形式:Reel,系列:BFR193,工廠包裝數(shù)量:3000,零件號別名:BFR193... | ||||||
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BFR 193L3 E6327 | Infineon Technologies | SOT-23 | 射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | ||
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品種類:射頻雙極小信號晶體管,RoHS:是,配置:Single,晶體管極性:NPN,最大工作頻率:8000 MHz,集電極—發(fā)射極最... | ||||||
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BFR 193W E6327 | Infineon Technologies | PG-SOT323 | 射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | ||
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品種類:射頻雙極小信號晶體管,RoHS:是,配置:Single,晶體管極性:NPN,最大工作頻率:8000 MHz,集電極—發(fā)射極最... | ||||||
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BFR 193W H6327 | Infineon Technologies | 射頻雙極小信號晶體管 RF BIP TRANSISTOR | |||
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品種類:射頻雙極小信號晶體管,RoHS:是,包裝形式:Reel,系列:BFR193,工廠包裝數(shù)量:3000,零件號別名:BFR193... | ||||||
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BFR 340F E6327 | Infineon Technologies | TSFP-3 | 射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | ||
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品種類:射頻雙極小信號晶體管,RoHS:是,配置:Single,晶體管極性:NPN,最大工作頻率:14 GHZ,集電極—發(fā)射極最大電... | ||||||
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BFR 340F H6327 | Infineon Technologies | 射頻雙極小信號晶體管 RF BIP TRANSISTOR | |||
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品種類:射頻雙極小信號晶體管,RoHS:是,包裝形式:Reel,系列:BFR340,工廠包裝數(shù)量:3000,零件號別名:BFR340... | ||||||
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BFR 340L3 E6327 | Infineon Technologies | TSLP | 13535 | 射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | |
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品種類:射頻雙極小信號晶體管,RoHS:是,配置:Single,晶體管極性:NPN,最大工作頻率:14000 MHz,集電極—發(fā)射極... | ||||||
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BFR 35AP E6327 | Infineon Technologies | SOT-23 | 射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | ||
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品種類:射頻雙極小信號晶體管,RoHS:是,配置:Single,晶體管極性:NPN,最大工作頻率:5000 MHz,集電極—發(fā)射極最... | ||||||
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BFR 360F E6327 | Infineon Technologies | PG-TSFP-3 | 射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | ||
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品種類:射頻雙極小信號晶體管,RoHS:是,配置:Single,晶體管極性:NPN,最大工作頻率:14000 MHz,集電極—發(fā)射極... | ||||||
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BFR 360F H6327 | Infineon Technologies | TSFP-3 | 1856 | 射頻雙極小信號晶體管 RF BIP TRANSISTOR | |
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品種類:射頻雙極小信號晶體管,RoHS:是,配置:Single,晶體管極性:NPN,最大工作頻率:3.5 GHz,集電極—發(fā)射極最大... |
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