| 圖片 |
型號 |
品牌 |
封裝 |
數量 |
描述 |
PDF資料 |
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BG 5412K E6327 |
Infineon Technologies
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SOT-363 |
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射頻MOSFET小信號晶體管 Dual N-Ch MOSFET Tetrode |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻MOSFET小信號晶體管，RoHS：是，配置：Single Dual Gate，晶體管極性：N-Channel，汲極/源... |
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BG 3123R E6327 |
Infineon Technologies
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SOT-363 |
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射頻MOSFET小信號晶體管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻MOSFET小信號晶體管，RoHS：是，配置：Dual，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/... |
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BG 3130 E6327 |
Infineon Technologies
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SOT-363 |
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射頻MOSFET小信號晶體管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻MOSFET小信號晶體管，RoHS：是，配置：Dual，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/... |
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BG 3130R E6327 |
Infineon Technologies
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SOT-363 |
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射頻MOSFET小信號晶體管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻MOSFET小信號晶體管，RoHS：是，配置：Dual，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/... |
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BG 3123 E6327 |
Infineon Technologies
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SOT-363 |
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射頻MOSFET小信號晶體管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻MOSFET小信號晶體管，RoHS：是，配置：Dual，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/... |
