圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FD400R12KE3_B5 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT Module | |||
參數(shù):制造商:Infineon,... | ||||||
![]() |
FD400R12KF4 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 1200V 400A CHOPPER | ||
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品種類:IGBT 模塊,RoHS:否,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,配置:Single Dual Emitter ... | ||||||
![]() |
FD400R16KF4 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 1600V 400A CHOPPER | ||
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品種類:IGBT 模塊,RoHS:否,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,配置:Single Dual Emitter ... | ||||||
![]() |
FD800R17KE3_B2 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.2KA | ||
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,配置:Single Dual Collector Dual Emitter,集電極—發(fā)... | ||||||
![]() |
FD800R17KF6C_B2 | Infineon Technologies | IHM73 | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.3KA | ||
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1700 V,集電極—射極飽和電... | ||||||
![]() |
FD800R17KF6C-B2 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模塊 1700V 800A CHOPPER | ||
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品種類:IGBT 模塊,RoHS:否,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 V... | ||||||
![]() |
FD800R33KF2C | Infineon Technologies | IHM190 | IGBT 模塊 3300V 800A CHOPPER | ||
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品種類:IGBT 模塊,RoHS:否,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,配置:Dual,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCE... | ||||||
![]() |
FD800R33KF2C-K | Infineon Technologies | IHV190 | IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1.3KA | ||
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,配置:Dual,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:3300 V,在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
![]() |
FD800R33KL2C-K_B5 | Infineon Technologies | IHV190 | IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1.5KA | ||
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,配置:Dual,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:3300 V,在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
![]() |
FD900R12IP4D | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 900A | |||
參數(shù):制造商:Infineon,... | ||||||
![]() |
FD300R06KE3 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模塊 IGBT-MODULE | ||
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V,在25 C的連續(xù)集電... | ||||||
![]() |
FD300R12KS4 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 370A | ||
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,在25 C的連續(xù)集... | ||||||
![]() |
FD300R12KS4_B5 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 300A | |||
參數(shù):制造商:Infineon,... | ||||||
![]() |
FD1600/1200R17KF6C_B2 | Infineon Technologies | - | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.6KA | ||
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,工廠包裝數(shù)量:1,... | ||||||
![]() |
FD1000R17IE4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1700V 1000A | |||
參數(shù):制造商:Infineon,... | ||||||
![]() |
FD1000R33HE3-K | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 3300V 1000A | |||
參數(shù):制造商:Infineon,... | ||||||
![]() |
FD1200R12IE4_B1_S1 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 | |||
參數(shù):制造商:Infineon,... | ||||||
![]() |
FD1200R17KE3-K | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.6KA | ||
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,配置:Single Dual Collector Dual Emitter,集電極—發(fā)... | ||||||
![]() |
FD1200R17KE3-K_B2 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.7KA | ||
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,配置:Single Dual Collector Dual Emitter,集電極—發(fā)... | ||||||
![]() |
FD200R12KE3 | Infineon Technologies | IS5a ( 62 mm )-5 | IGBT 模塊 1200V 200A CHOPPER | ||
參數(shù):制造商:Infineon,產(chǎn)品種類:IGBT 模塊,RoHS:否,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,集電極—射極飽和電壓:1.... |
22/87 首頁(yè) 上頁(yè) [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] 下頁(yè) 尾頁(yè)