圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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F12-25R12KT4G | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 25A | |||
參數(shù):制造商:Infineon,... | ||||||
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F12-35R12KT4G | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 35A | |||
參數(shù):制造商:Infineon,... | ||||||
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MID100-12A3 | Ixys | Y4-M5 | IGBT 模塊 100 Amps 1200V | ||
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,在25 C的... | ||||||
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MID145-12A3 | Ixys | Y4-M5 | IGBT 模塊 145 Amps 1200V | ||
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,在25 C的... | ||||||
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MID150-12A4 | Ixys | Y3-DCB | IGBT 模塊 150 Amps 1200V | ||
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,在25 C的... | ||||||
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MID200-12A4 | Ixys | Y3-DCB | 2 | IGBT 模塊 200 Amps 1200V | |
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,在25 C的... | ||||||
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MID300-12A4 | Ixys | Y3-DCB | IGBT 模塊 300 Amps 1200V | ||
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,在25 C的... | ||||||
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MID400-12E4 | Ixys | Y3-Li | IGBT 模塊 400 Amps 1200V | ||
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,在25 C的... | ||||||
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MID400-12E4T | Ixys | Y3-Li | IGBT 模塊 400 Amps 1200V | ||
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,在25 C的... | ||||||
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MID550-12A4 | Ixys | Y3-DCB | IGBT 模塊 550 Amps 1200V | ||
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,在25 C的... | ||||||
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MID75-12A3 | Ixys | Y4-M5 | IGBT 模塊 75 Amps 1200V | ||
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,在25 C的... | ||||||
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MIO1200-25E10 | Ixys | E10 | IGBT 模塊 1200 Amps 2500V | ||
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,包裝形式:Bulk,工廠包裝數(shù)量:1,... | ||||||
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MIO1200-33E10 | Ixys | E10 | IGBT 模塊 1200 Amps 3300V | ||
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,包裝形式:Bulk,工廠包裝數(shù)量:1,... | ||||||
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MIO1200-33E11 | Ixys | E11 | IGBT 模塊 1200 Amps 3300V | ||
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,包裝形式:Bulk,工廠包裝數(shù)量:1,... | ||||||
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MIO1500-25E10 | Ixys | E10 | IGBT 模塊 1500 Amps 2500V | ||
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,包裝形式:Bulk,工廠包裝數(shù)量:1,... | ||||||
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MIO1800-17E10 | Ixys | E10 | IGBT 模塊 1800 Amps 1700V | ||
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,包裝形式:Bulk,工廠包裝數(shù)量:1,... | ||||||
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MIO2400-17E10 | Ixys | E10 | IGBT 模塊 2400 Amps 1700V | ||
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,包裝形式:Bulk,工廠包裝數(shù)量:1,... | ||||||
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MIO600-65E11 | Ixys | E11 | IGBT 模塊 600 Amps 6500V | ||
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,包裝形式:Bulk,工廠包裝數(shù)量:1,... | ||||||
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MITA30WB600TMH | Ixys | MiniPack2 | IGBT 模塊 CBI IGBT MODULES IN MINIPACK 2 | ||
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,封裝形式:MiniPack 2,包裝形式:Box,安裝風(fēng)格:SMD/SMT,工廠... | ||||||
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MDI100-12A3 | Ixys | Y4-M5 | IGBT 模塊 100 Amps 1200V | ||
參數(shù):制造商:IXYS,RoHS:是,產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules,配置:Single,集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V,在25 C的... |
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