| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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FZ600R12KP4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 600A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
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FZ600R12KS4 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 700A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電... | ||||||
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FZ600R17KE3 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.07KA | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Emitter，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：170... | ||||||
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FZ600R65KF1 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模塊 6500V 600A SINGLE | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Triple Common Emitte... | ||||||
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FZ600R65KF2 | Infineon Technologies | IHV190 | IGBT 模塊 N-CH 6.3KV 600A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Triple，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：6300 V，在25 C的連續(xù)集... | ||||||
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FZ750R65KE3 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 6500V 750A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
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FZ800R12KE3 | Infineon Technologies | 62 mm | 10 | IGBT 模塊 1200V 800A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：120... | ||||||
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FZ800R12KF4 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 1200V 800A SINGLE | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Common Emitter ... | ||||||
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FZ800R12KF5 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
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FZ800R12KL4C | Infineon Technologies | IHM130 | 2 | IGBT 模塊 1200V 800A SINGLE | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Common Emitter ... | ||||||
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FZ800R12KS4_B2 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 1.2KA | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
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FZ800R16KF4 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 1600V 800A SINGLE | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Common Emitter ... | ||||||
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FZ800R17KF4C | Infineon Technologies | IGBT 模塊 | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
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FZ800R17KF6C_B2 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.3KA | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Common Emitter Common Gate，集電極—發(fā)射極最... | ||||||
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FZ800R17KF6C-B2 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模塊 1700V 800A SINGLE | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Common Emitter ... | ||||||
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FZ800R33KF2C | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模塊 3300V 800A SINGLE | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 V... | ||||||
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FZ800R33KL2C | Infineon Technologies | IHV130 | IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1.5KA | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：3300 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
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FZ800R33KL2C_B5 | Infineon Technologies | IHV130 | IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1.5KA | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：3300 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
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FZ900R12KE4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 1200V 900A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，... | ||||||
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FZ900R12KF5 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
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