| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFI540GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | 8,815 | MOSFET N-Chan 100V 17 Amp | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
IRFI540NPBF | International Rectifier | TO-220-3 整包 | 1,507 | MOSFET MOSFT 100V 18A 52mOhm 62.7nC | |
| 參數(shù)：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：20 V，... | ||||||
|
IRFI550ATU | Fairchild Semiconductor | I2PAK | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
|
|
IRFI610BTU_FP001 | Fairchild Semiconductor | I2PAK | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘... | ||||||
|
|
IRFI614BTU_FP001 | Fairchild Semiconductor | TO-262 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘... | ||||||
|
IRFI614G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 250V 2.1 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFI614GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | MOSFET N-Chan 250V 2.1 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFI620BTU_FP001 | Fairchild Semiconductor | I2PAK | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘... | ||||||
|
|
IRFI620G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 200V 4.1 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFI620GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | 896 | MOSFET N-Chan 200V 4.1 Amp | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFI624BTU_FP001 | Fairchild Semiconductor | TO-262 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘... | ||||||
|
|
IRFI624G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 250V 3.4 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFI624GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 250V 3.4 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFI630BTLTU_FP001 | Fairchild Semiconductor | I2PAK | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 3... | ||||||
|
|
IRFI630BTU_FP001 | Fairchild Semiconductor | I2PAK | MOSFET 200V N-Ch B-FET | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘... | ||||||
|
|
IRFI630G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 200V 5.9 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFI630GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | 2,376 | MOSFET N-Chan 200V 5.9 Amp | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFI634BTU_FP001 | Fairchild Semiconductor | I2PAK | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 3... | ||||||
|
|
IRFI634G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 250V 5.6 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFI634GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | 1,862 | MOSFET N-Chan 250V 5.6 Amp | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
1043/1296 首頁 上頁 [1038] [1039] [1040] [1041] [1042] [1043] [1044] [1045] [1046] [1047] [1048] 下頁 尾頁
