| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI3433DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | 37 | MOSFET 20V 4.3A 2W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3434DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 6.1A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3434DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 30V 6.1A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3434DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 6.1A 2.0W 34mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3435DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 12V 4.8A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3435DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 12V 4.8A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3435DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 12V 6.3A 2.0W 36mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3437DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | 2,021 | MOSFET 150V 1.4A 3.2W 750 mohms @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI3437DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | 17,489 | MOSFET 150V 1.4A 3.2W 750mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI3438DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | 3,001 | MOSFET 40V 7.4A 3.5W 35.5mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3438DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | 18,691 | MOSFET 40V 7.4A 3.5W 35.5mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3440DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 150V 1.5A | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI3440DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | 954 | MOSFET 150V 1.5A 2.0W 375mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI3441BDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 20V 2.9A 0.09Ohm | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3441BDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 2.9A 1.25W 130mohm @ 2.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3441DV | Fairchild Semiconductor | SSOT-6 | MOSFET SSOT6 SINGLE PCH | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，... | ||||||
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SI3441DV_Q | Fairchild Semiconductor | SSOT-6 | MOSFET SSOT6 SINGLE PCH | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- ... | ||||||
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SI3441DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 3.3A 2W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續電流：- 2.3 ... | ||||||
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SI3442BDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | 37,008 | MOSFET 20V 3A | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3442BDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 4.2A 1.67W 57mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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