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圖片 型號(hào) 品牌 封裝 數(shù)量 描述 PDF資料
點(diǎn)擊查看SIA426DJ-T1-GE3參考圖片 SIA426DJ-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 MOSFET 20V 4.5A 19W 23.6mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SIA427DJ-T1-GE3參考圖片 SIA427DJ-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 5,868 MOSFET 8V 12A 19W 13mohms @ 4.5V
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:- 8 V,閘/源擊穿電壓:5 V,漏極連續(xù)電流:- 12 A,電阻汲極...
點(diǎn)擊查看SIA429DJT-T1-GE3參考圖片 SIA429DJT-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 MOSFET P-Channel 20 V (D-S)
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:- 20 V,漏極連續(xù)電流:- 12 A,電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)...
點(diǎn)擊查看SIA430DJ-T1-GE3參考圖片 SIA430DJ-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 MOSFET 20V 12A 19.2W 13.5mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SIA431DJ-T1-GE3參考圖片 SIA431DJ-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 2,982 MOSFET 20V 12A 19W 25mohm @ 4.5V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:- 20 V,漏極連續(xù)電流:- 12 A,電阻汲...
點(diǎn)擊查看SIA432DJ-T1-GE3參考圖片 SIA432DJ-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 3,000 MOSFET 30V 10.1A 19.2W 20mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SIA433EDJ-T1-GE3參考圖片 SIA433EDJ-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 MOSFET -20V 18mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:- 20 V,閘/源擊穿電壓:12 V,漏極連續(xù)...
點(diǎn)擊查看SIA436DJ-T1-GE3參考圖片 SIA436DJ-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 MOSFET 8V 12A 19W 9.4mohm @ 4.5V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:8 V,閘/源擊穿電壓:5 V,漏極連續(xù)電流:1...
點(diǎn)擊查看SIA437DJ-T1-GE3參考圖片 SIA437DJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors PowerPAK? SC-70-6 MOSFET 20V 14.5mOhm@4.5V 16A P-Ch
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,...
點(diǎn)擊查看SIA438EDJ-T1-GE3參考圖片 SIA438EDJ-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 MOSFET 20V 6.0A 11.4W 46mohm @ 4.5V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SIA441DJ-T1-GE3參考圖片 SIA441DJ-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 46,113 MOSFET 40V 12A 19W 47mOhms @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:- 40 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,...
點(diǎn)擊查看SIA443DJ-T1-E3參考圖片 SIA443DJ-T1-E3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 MOSFET 20V 9.0A 15W 45mohm @ 4.5V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
點(diǎn)擊查看SIA443DJ-T1-GE3參考圖片 SIA443DJ-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 MOSFET 20V 9.0A 15W 45mohm @ 4.5V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
點(diǎn)擊查看SIA444DJT-T1-GE3參考圖片 SIA444DJT-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 MOSFET N-Channel 30 V (D-S)
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,漏極連續(xù)電流:12 A,電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.0...
點(diǎn)擊查看SIA445EDJ-T1-GE3參考圖片 SIA445EDJ-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 2,121 MOSFET -20V 16.5mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:- 20 V,漏極連續(xù)電流:- 12 A,電阻汲...
點(diǎn)擊查看SIA447DJ-T1-GE3參考圖片 SIA447DJ-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 101,805 MOSFET -12V 13.5mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:- 12 V,閘/源擊穿電壓:- 0.85 V,...
點(diǎn)擊查看SIA448DJ-T1-GE3參考圖片 SIA448DJ-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 MOSFET 20V 12A 19.2W 15mohm @ 4.5V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,漏極連續(xù)電流:12 A,電阻汲極/源極...
點(diǎn)擊查看SIA449DJ-T1-GE3參考圖片 SIA449DJ-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 MOSFET -30V 20mOhm@10V 12A P-Ch G-III
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:- 30 V,漏極連續(xù)電流:- 12 A,電阻汲...
點(diǎn)擊查看SIA450DJ-T1-E3參考圖片 SIA450DJ-T1-E3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 MOSFET 240V 290mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:240 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看SIA450DJ-T1-GE3參考圖片 SIA450DJ-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SC-70-6 MOSFET 240V 290mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:240 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...

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