| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIJ800DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 40V 9.5mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
SI9400DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 20V 2.5A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：2.5 A，電... | ||||||
|
|
SI9407AEY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 60V 3.5A 3W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：3.5 A，電... | ||||||
|
|
SI9407AEY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 60V 3.5A 3W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI9407AEY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 60V 3.5A 3W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI9407AEY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 60V 3.5A 3W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI9407AEY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 60V 3.5A 3.0W 120mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
SI9407BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 6,132 | MOSFET 60V 4.7A 5.0W 120mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
SI9407BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 35,282 | MOSFET 60V 4.7A 5.0W 120mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
SI9410BDY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 8.1A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI9410BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 8.1A 0.024Ohm | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI9410BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 8.1A 2.5W 24mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI9410DY | Fairchild Semiconductor | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V N-Ch FET | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/... | ||||||
|
|
SI9420DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 200V 1A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：1 A，電阻... | ||||||
|
|
SI9422DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 200V 1.7A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：1.7 A，... | ||||||
|
SI9424BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 7.1A 0.025Ohm | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 9 V，漏極連... | ||||||
|
|
SI9424BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 20V 7.1A 2.0W 25mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 9 V，漏極連... | ||||||
|
SI9424DY | Fairchild Semiconductor | 8-SOIC | MOSFET Single P-Ch 20V/10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，... | ||||||
|
|
SI9426DY | Fairchild Semiconductor | SOIC-8 Narrow | MOSFET SO8 NCH 20V | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/... | ||||||
|
|
SI9428DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 20V 6A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)電流：6 A，電阻汲極... | ||||||
601/1300 首頁 上頁 [596] [597] [598] [599] [600] [601] [602] [603] [604] [605] [606] 下頁 尾頁
