| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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BSC0911NDATMA1 | Infineon Technologies | PG-TISON-8 | MOSFET LV POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：40 A，電阻汲極... | ||||||
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BSC091N03MSC G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC093N04LS G | Infineon Technologies | TDSON | 4785 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 49A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC094N03S G | Infineon Technologies | PG-TDSON-8-1 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC100N03LS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC100N03MS G | Infineon Technologies | TDSON | 4970 | MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
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BSC100N06LS3 G | Infineon Technologies | TDSON | 4290 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC100N10NSF G | Infineon Technologies | TDSON | 4558 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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BSC105N10LSF G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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BSC106N025S G | Infineon Technologies | PG-TDSON-8-1 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC109N10NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 100V MOSFET | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號(hào)別名：BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GXT SP0007781... | ||||||
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BSC110N06NS3 G | Infineon Technologies | TDSON | 12611 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，... | ||||||
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BSC118N10NS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 71A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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BSC119N03LSC G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)量：5000，零件號(hào)別名：BSC119N03LSCGATMA1 B... | ||||||
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BSC119N03MSC G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)量：5000，零件號(hào)別名：BSC119N03MSCGATMA1 B... | ||||||
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BSC119N03S G | Infineon Technologies | PG-TDSON-8-1 | MOSFET N-CH 30V 11.9A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC120N03LS G | Infineon Technologies | TDSON | 4123 | MOSFET OptiMOS 3 N-CH 30V 39A 12mOhms | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC120N03MS G | Infineon Technologies | TDSON | 12121 | MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES N-CH 30V 39A 12mOhms | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
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BSC123N08NS3 G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC123N10LS G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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