| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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2N7002BKV,115 | NXP Semiconductors | SOT-666 | MOSFET Dual N-Channel 60V 340mA | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：340 mA，電阻汲... | ||||||
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2N7002BKW,115 | NXP Semiconductors | SC-70，SOT-323 | 82,705 | MOSFET Single N-Channel 60V 300mA | |
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：310 mA，電阻汲... | ||||||
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2N7002CK,215 | NXP Semiconductors | TO-236AB | MOSFET Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：300 mA，電阻汲... | ||||||
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2N7002DW | Fairchild Semiconductor | SC-88（SC-70-6） | MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/... | ||||||
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2N7002DW L6327 | Infineon Technologies | PG-SOT363-PO | MOSFET N-KANAL SML SIG MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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2N7002DW-7 | Diodes Inc. | SOT-363 | MOSFET 60V 200mW | ||
| 參數(shù)：制造商：Diodes Inc.，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20... | ||||||
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2N7002DW-7-F | Diodes Inc. | SOT-363 | MOSFET 60V 200mW | ||
| 參數(shù)：制造商：Diodes Inc.，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：70 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20... | ||||||
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2N7002DWH6327XT | Infineon Technologies | SOT-363 | 5449 | MOSFET OptiMOS Small Signal Transistor | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：300 ... | ||||||
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2N7002DW-TP | Micro Commercial Components (MCC) | SOT-363 | 163,250 | MOSFET Dual N-CH 60V 115mA | |
| 參數(shù)：制造商：Micro Commercial Components (MCC)，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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2N7002E | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 22,818 | MOSFET 60V 240mA 0.5W 3.0ohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
SOT23.jpg)
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2N7002E,215 | NXP Semiconductors | TO-236AB | MOSFET TAPE7 MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電... | ||||||
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2N7002-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 60V 0.115A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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2N7002E-7 | Diodes Inc. | SOT-23-3 | MOSFET N-Channel | ||
| 參數(shù)：制造商：Diodes Inc.，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20... | ||||||
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2N7002E-7-F | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-Channel | ||
| 參數(shù)：制造商：Diodes Inc.，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：過(guò)渡期間，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/-... | ||||||
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2N7002E-T1 | Vishay/Siliconix | SOT-23 (TO-236) | MOSFET 60V 0.24A T&R | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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2N7002E-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 60V 0.24A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：70 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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2N7002ET1G | ON Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 869,073 | MOSFET NFET SOT23 60V 115mA 7mOhm | |
| 參數(shù)：制造商：ON Semiconductor，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+... | ||||||
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2N7002E-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 21,000 | MOSFET 60V 240mA 0.35W 3.0ohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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2N7002ET3G | ON Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 60V 310mA SINGL CH | ||
| 參數(shù)：制造商：ON Semiconductor，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+... | ||||||
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2N7002F,215 | NXP Semiconductors | TO-236AB | MOSFET N-CH TRNCH 60V .475A | ||
| 參數(shù)：制造商：NXP，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電... | ||||||
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