| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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IPB200N25N3 G | Infineon Technologies | TO-263-3 | 1187 | MOSFET N-channel POWER MOS | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：64 A，電阻汲... | ||||||
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IPB22N03S4L15 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏極連續電流：22 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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IPB22N03S4L-15 | Infineon Technologies | TO-263 | 909 | MOSFET OPTIMOS-T2 PWR-TRANS 30V 22A 14.6mOhms | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
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IPB230N06L3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 859 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB25N06S3-25 | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET OptiMOS-T2 PWR TRANS 55V 25A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB25N06S3L-22 | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET OptiMOS-T2 PWR TRANS 55V 25A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
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IPB260N06N3 G | Infineon Technologies | TO-263 | 900 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB26CN10N G | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-CH 100V 35A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IPB26CNE8N G | Infineon Technologies | PG-TO263-3 | MOSFET N-CH 85V 35A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：85 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB320N20N3 G | Infineon Technologies | TO-263-3 | 1968 | MOSFET N-channel POWER MOS | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：34 A，電阻汲... | ||||||
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IPB34CN10N G | Infineon Technologies | TO-263 | 190 | MOSFET N-CH 100V 27A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IPB35N10S3L-26 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：35 A，電阻汲... | ||||||
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IPB45N04S4L-08 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：45 A，電阻汲極... | ||||||
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IPB45N06S3-16 | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 45A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB45N06S3L-13 | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 45A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
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IPB45N06S4-09 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：45 A，電阻汲極... | ||||||
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IPB45N06S4L-08 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：16 V，漏極連續電流：45 A，電阻汲極... | ||||||
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IPB45P03P4L-11 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel -30V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：5 V，漏極連續電流：- 45 A，電... | ||||||
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IPB47N10S33 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：47 A，電阻汲極/源... | ||||||
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IPB47N10S-33 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET SIPMOS PWR-TRNSTR 100V 47A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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