| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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IPB65R310CFD | Infineon Technologies | D2PAK | 971 | MOSFET CoolMOS 650V 310mOhm CFD2 N-Chan MOSFET | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：650 V，閘/源擊穿電壓：30 V，漏極連續電流：11.4 A，電... | ||||||
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IPB65R310CFDAATMA1 | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET COOL MOS | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：IPB65R310CFDA IPB65R310CFDAXT，... | ||||||
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IPB65R380C6 | Infineon Technologies | TO-263-3 | 900 | MOSFET 650V CoolMOS C6 Power Transistor | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：700 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：10.6... | ||||||
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IPB65R380E6 | Infineon Technologies | MOSFET | |||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：IPB65R380E6XT，... | ||||||
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IPB65R420CFD | Infineon Technologies | D2PAK | 1000 | MOSFET CoolMOS 650V 420mOhm CFD2 N-Chan MOSFET | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：650 V，閘/源擊穿電壓：30 V，漏極連續電流：8.7 A，電阻... | ||||||
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IPB65R600C6 | Infineon Technologies | TO-263-3 | 1000 | MOSFET 650V CoolMOS C6 Power Transistor | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：700 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：7.3 ... | ||||||
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IPB65R660CFD | Infineon Technologies | D2PAK | 2225 | MOSFET | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：650 V，閘/源擊穿電壓：30 V，漏極連續電流：6 A，電阻汲極... | ||||||
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IPB65R660CFDAATMA1 | Infineon Technologies | PG-TO263-3 | 4,000 | MOSFET COOL MOS | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：IPB65R660CFDA IPB65R660CFDAXT，... | ||||||
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IPB70N04S307 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：80 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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IPB70N04S3-07 | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET OPTIMOS -T PWR-TRANS 40V 70A 6.8mOhms | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB70N04S4-06 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：70 A，電阻汲極... | ||||||
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IPB70N10S3-12 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS -T PWR TRANS 100V 70A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IPB70N10S3L-12 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 100V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：70 A，電阻汲... | ||||||
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IPB70N10SL16 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：70 A，電阻汲極/源... | ||||||
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IPB70N10SL-16 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET SIPMOS PWR-TRNSTR 100V 70A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IPB70P04P4-09 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel MOSFET '-40V -70A | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：- 70 A，... | ||||||
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IPB77N06S212 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：77 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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IPB77N06S2-12 | Infineon Technologies | TO-263 | 947 | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 55V 77A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB77N06S3-09 | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET OptiMOS-T2 PWR TRANS 55V 77A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB79CN10N G | Infineon Technologies | PG-TO263-3 | MOSFET N-CH 100 V 79 Ohm | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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