| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPB80N03S4L02 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏極連續電流：80 A，電阻汲極/源極... | ||||||
|
|
IPB80N03S4L-02 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OPTIMOS-T2 PWR-TRANS 30V 80A 2.4mOhms | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
|
|
IPB80N03S4L03 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏極連續電流：80 A，電阻汲極/源極... | ||||||
|
IPB80N03S4L-03 | Infineon Technologies | TO-263 | 618 | MOSFET OPTIMOS-T2 POWER-TRANS | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
|
|
IPB80N04S204 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：80 A，電阻汲極/源極... | ||||||
|
IPB80N04S2-04 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-CH 40V 80A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB80N04S2H4 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：80 A，電阻汲極/源極... | ||||||
|
|
IPB80N04S2-H4 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 40V 80A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB80N04S2L03 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：80 A，電阻汲極/源極... | ||||||
|
|
IPB80N04S2L-03 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 40V 80A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB80N04S303 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：80 A，電阻汲極/源極... | ||||||
|
|
IPB80N04S3-03 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OPTIMOS-T PWR-TRANS N-CH 40V 80A 3.2mOhm | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB80N04S304 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：80 A，電阻汲極/源極... | ||||||
|
|
IPB80N04S3-04 | Infineon Technologies | TO-263 | 755 | MOSFET N-CH 40V 80 A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB80N04S306 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：80 A，電阻汲極/源極... | ||||||
|
|
IPB80N04S3-06 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OPTIMOS -T PWR-TRANS 40V 80A 5.8mOhMS | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPB80N04S3-H4 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | |||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：IPB80N04S3H4ATMA1 IPB80N04S3H4XT SP000415564... | ||||||
|
|
IPB80N04S4-03 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：80 A，電阻汲極... | ||||||
|
|
IPB80N04S4-04 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：80 A，電阻汲極... | ||||||
|
|
IPB80N04S4L-04 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：80 A，電阻汲極... | ||||||
880/1298 首頁 上頁 [875] [876] [877] [878] [879] [880] [881] [882] [883] [884] [885] 下頁 尾頁
