| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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IPB80N06S2LH5 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：80 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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IPB80N06S2L-H5 | Infineon Technologies | PG-TO263-3-2 | MOSFET OptiMOS-T2 PWR TRANS 55V 80A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB80N06S3-05 | Infineon Technologies | PG-TO263-3-2 | MOSFET N-CH 55V 80A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB80N06S3-07 | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET OptiMOS-T2 PWR TRANS 55V 80A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB80N06S3L-05 | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET OptiMOS-T2 PWR TRANS 55V 80A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
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IPB80N06S3L-06 | Infineon Technologies | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 80A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
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IPB80N06S3L-08 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-CH 55V 80A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
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IPB80N06S4-05 | Infineon Technologies | PG-TO-263-3-2 | 750 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：80 A，... | ||||||
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IPB80N06S4-07 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：80 A，電阻汲極... | ||||||
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IPB80N06S4L-05 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：16 V，漏極連續(xù)電流：80 A，電阻汲極... | ||||||
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IPB80N06S4L-07 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：16 V，漏極連續(xù)電流：80 A，電阻汲極... | ||||||
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IPB80N08S207 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：80 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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IPB80N08S2-07 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 75V 80A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB80N08S2L07 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：80 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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IPB80N08S2L-07 | Infineon Technologies | TO-263 | 594 | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 75V 80A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPB80P03P4-05 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel -30V MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：- 80 A，... | ||||||
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IPB80P03P4L-04 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel -30V MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：5 V，漏極連續(xù)電流：- 80 A，電... | ||||||
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IPB80P03P4L-07 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel -30V MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：5 V，漏極連續(xù)電流：- 80 A，電... | ||||||
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IPB80P04P4-05 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel -40V MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：- 80 A，... | ||||||
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IPB80P04P4-09 | Infineon Technologies | TO-263 | MOSFET P-Channel MOSFET '-40V -80A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：- 80 A，... | ||||||
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