| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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IPD50N06S2L-13 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 55V 50A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD50N06S3-07 | Infineon Technologies | TO-252 | 1953 | MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 6.9mOhms | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD50N06S3-09 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 9.0mOhms | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD50N06S3-15 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 15mOhms | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD50N06S3L-06 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 6.0mOhms | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
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IPD50N06S3L-08 | Infineon Technologies | TO-252 | 82 | MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 7.8mOhms | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
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IPD50N06S3L-13 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 13mOhms | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
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IPD50N06S4-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：IPD50N06S409ATMA1 IPD50N06S409ATMA2 SP000374... | ||||||
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IPD50N06S4L-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：IPD50N06S4L08ATMA1 IPD50N06S4L08ATMA2 SP0003... | ||||||
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IPD50N06S4L-12 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：IPD50N06S4L12ATMA1 IPD50N06S4L12ATMA2 SP0004... | ||||||
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IPD50N10S3L-16 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OptiMOS-T PWR TRANS 100V 50A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IPD50P03P4L-11 | Infineon Technologies | TO-252 | 4715 | MOSFET N-Channel enh MOSFET 30V | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：- 16 V, 5... | ||||||
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IPD50P04P4-13 | Infineon Technologies | PG-TO252-3 | 2430 | MOSFET | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：- 50 A，... | ||||||
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IPD50P04P4L-11 | Infineon Technologies | MOSFET P-Channel -40V MOSFET | |||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：IPD50P04P4L11ATMA1 IPD50P04P4L11XT SP0006711... | ||||||
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IPD50R280CE | Infineon Technologies | TO-252 | 349 | MOSFET 500V 280 RDS CoolMOS Superjunction MOSFET | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：13 A，電阻汲... | ||||||
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IPD50R399CP | Infineon Technologies | PG-TO252-3-11 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 550V 0.399 Ohms | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：550 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IPD50R500CE | Infineon Technologies | TO-252 | 472 | MOSFET 500V 500 RDS CoolMOS Superjunction MOSFET | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：7.6 A，電阻... | ||||||
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IPD50R520CP | Infineon Technologies | PG-TO252-3-11 | MOSFET COOL MOS PWR TRANS 500V 0.520 Ohms | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：550 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IPD50R950CE | Infineon Technologies | TO-252 | 495 | MOSFET 500V 950 RDS CoolMOS Superjunction MOSFET | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：4.3 A，電阻... | ||||||
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IPD530N15N3 G | Infineon Technologies | TO-252 | 1294 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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