| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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IPP04CNE8N G | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET N-CH 85V 100A 3.9mOhms | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：85 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP04N03LA | Infineon Technologies | PG-TO220-3 | MOSFET N-CH25V 80A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP04N03LB G | Infineon Technologies | PG-TO220-3-1 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP050N06N G | Infineon Technologies | PG-TO220-3 | MOSFET N-CH 60V 100A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP052N06L3 G | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP052NE7N3 G | Infineon Technologies | TO-220-3 | 338 | MOSFET N-channel POWER MOS | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：80 A，電阻汲極... | ||||||
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IPP054NE8N G | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 100A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：85 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：100 A... | ||||||
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IPP055N03L G | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET N-CH 30 V 50 A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP057N06N3 G | Infineon Technologies | TO-220-3 | 934 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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IPP057N08N3 G | Infineon Technologies | TO-220 | 337 | MOSFET OptiMOS PWR TRANS 80V 80A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP05CN10L G | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET Discrete Semiconductor Products MOSFETs, GaNFETs - Single - MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲極/... | ||||||
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IPP05CN10LGXK | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 100A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲... | ||||||
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IPP05CN10N G | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 100A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IPP05N03LA | Infineon Technologies | PG-TO220-3 | MOSFET N-CH 25V 80A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP05N03LB G | Infineon Technologies | PG-TO220-3-1 | MOSFET N-CH 30V 80A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP060N06N | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET 60V TO-220 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：45 A，電阻汲極/源極 RDS... | ||||||
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IPP062NE7N3 G | Infineon Technologies | TO-220-3 | 475 | MOSFET N-Channel 75V MOSFET | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：80 A，... | ||||||
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IPP065N03L G | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET OptiMOS 3 PWR-TRANS N-CH 30V 50A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPP065N04N G | Infineon Technologies | PG-TO220-3 | MOSFET N-Channel 40V MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：50 A，... | ||||||
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IPP065N06L G | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 60V 80A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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