| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP100N06S3L-04 | Infineon Technologies | PG-TO220-3-1 | MOSFET OptiMOS -T2 PWR TRAN 55V 100A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
|
IPP100N08N3 G | Infineon Technologies | TO-220 | 475 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPP100N08S207 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：100 A，電阻汲極/源... | ||||||
|
|
IPP100N08S2-07 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 75V 100A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPP100N08S2L07 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：100 A，電阻汲極/源... | ||||||
|
|
IPP100N08S2L-07 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET OptiMOS PWR TRANS 75V 100A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
IPP100N10S3-05 | Infineon Technologies | TO-220 | 511 | MOSFET OptiMOS-T PWR TRANS 100V 100A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
|
|
IPP100N18N3 G | Infineon Technologies | MOSFET | |||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Tube，零件號別名：IPP100N18N3GXK IPP100N18N3GXKSA1 SP000712484... | ||||||
|
|
IPP100P03P3L-04 | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET OPTIMOS-P TRNCH P-CH -30V -100A 4mOhms | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：- 16 V,... | ||||||
|
|
IPP10CN10N G | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數量：500，零件號別名：IPP10CN10NGXK，... | ||||||
|
IPP10N03LB G | Infineon Technologies | PG-TO220-3-1 | MOSFET N-CH 30V 50A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
IPP110N06L G | Infineon Technologies | TO-220 | MOSFET N-CH 60V 78A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPP110N20N3 G | Infineon Technologies | PG-TO-220-3 | 1100 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：88 A... | ||||||
|
IPP110N20NAXK | Infineon Technologies | PG-TO220-3 | 419 | MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：88 ... | ||||||
|
|
IPP111N15N3 G | Infineon Technologies | TO-220-3 | 593 | MOSFET N-Channel 150V MOSFET | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：83 A... | ||||||
|
IPP114N03L G | Infineon Technologies | PG-TO220-3 | MOSFET OptiMOS 3 PWR-TRANS N-CH 30V 30A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPP114N12N3 G | Infineon Technologies | TO-220-3 | 361 | MOSFET N-Channel 120V MOSFET | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：120 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：75 A... | ||||||
|
|
IPP11N03LA | Infineon Technologies | PG-TO220-3-1 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IPP120N04S302 | Infineon Technologies | TO-220AB | MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：120 A，電阻汲極/源... | ||||||
|
|
IPP120N04S3-02 | Infineon Technologies | TO-220AB | 275 | MOSFET OPTIMOS-T PWR-TRANS N-CH 40V 120A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
900/1298 首頁 上頁 [895] [896] [897] [898] [899] [900] [901] [902] [903] [904] [905] 下頁 尾頁
