| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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IPG20N06S4-15 | Infineon Technologies | TDSON-8 | 4319 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：20 A，電阻汲極... | ||||||
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IPG20N06S4L-11 | Infineon Technologies | TDSON-8 | 5381 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：16 V，漏極連續(xù)電流：20 A，電阻汲極... | ||||||
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IPG20N06S4L-14 | Infineon Technologies | TDSON-8 | 4140 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：16 V，漏極連續(xù)電流：20 A，電阻汲極... | ||||||
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IPG20N06S4L-26 | Infineon Technologies | TDSON-8 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：16 V，漏極連續(xù)電流：20 A，電阻汲極... | ||||||
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IPI020N06N | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET 60V TO-262 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：120 A，電阻汲極/源極 RD... | ||||||
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IPI020N06NAKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO262-3-1 | MOSFET MV POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，漏極連續(xù)電流：120 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：... | ||||||
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IPI023NE7N3 G | Infineon Technologies | TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Channel 75V MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：120 A... | ||||||
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IPI024N06N3 G | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI028N08N3 G | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 80V 100A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI029N06N | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET 60V TO-262 | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲極/源極 RD... | ||||||
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IPI029N06NAKSA1 | Infineon Technologies | TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA | 86 | MOSFET MV POWER MOS | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，漏極連續(xù)電流：100 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：... | ||||||
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IPI030N10N3 G | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IPI032N06N3 G | Infineon Technologies | PG-TO262-3 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI034NE7N3 G | Infineon Technologies | TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Channel 75V MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：100 A... | ||||||
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IPI037N06L3 G | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 90A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI037N08N3 G | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI03N03LA | Infineon Technologies | PG-TO262-3 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI040N06N3 G | Infineon Technologies | TO-262 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 60V 90A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPI041N12N3 G | Infineon Technologies | TO-262-3 | 500 | MOSFET N-Channel 120V MOSFET | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：120 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：120 ... | ||||||
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IPI045N10N3 G | Infineon Technologies | TO-262 | 470 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：100 ... | ||||||
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