| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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IRL610A | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘... | ||||||
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IRL620 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL620A | Fairchild Semiconductor | TO-220 | MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘... | ||||||
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IRL620PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 2,067 | MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL620S | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL620SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 1,823 | MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL620STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 130 | MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL630 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL630A | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level | ||
| 參數：制造商：Fairchild Semiconductor，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘... | ||||||
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IRL630PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 983 | MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL630S | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL630SPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | 3,100 | MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL630STRL | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL630STRLPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL630STRR | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL630STRRPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL6342PBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 14.6mOhms 11nC | ||
| 參數：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：12 V，漏... | ||||||
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IRL6342TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 15,990 | MOSFET MOSFT 30V 9.9A 14.6mOhm 2.5V cpbl | |
| 參數：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：12 V，漏... | ||||||
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IRL6372PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 30V DUAL N-CH LO LOGIC LEVEL | ||
| 參數：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：12 V，漏... | ||||||
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IRL6372TRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET DUAL MOSFT 8.1A 2.5V 18mOhm drv cpbl | ||
| 參數：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：12 V，漏... | ||||||
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