| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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ULN2004AIDRG4 | Texas Instruments | SOIC-16 | 達林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 參數：制造商：Texas Instruments，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2004AIN | Texas Instruments | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 3,864 | 達林頓晶體管 HiVltg Hi-Current Darl Trans Array | |
| 參數：制造商：Texas Instruments，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2004AINE4 | Texas Instruments | PDIP-16 | 達林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 參數：制造商：Texas Instruments，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2001A | STMicroelectronics | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 5,351 | 達林頓晶體管 Seven NPN Array | |
| 參數：制造商：STMicroelectronics，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：... | ||||||
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ULN2001D1 | STMicroelectronics | SO-16 | 達林頓晶體管 Seven NPN Array | ||
| 參數：制造商：STMicroelectronics，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：過渡期間，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VC... | ||||||
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ULN2001D1013TR | STMicroelectronics | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 14,701 | 達林頓晶體管 Seven NPN Array | |
| 參數：制造商：STMicroelectronics，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：... | ||||||
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ULN2002A | STMicroelectronics | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 4,413 | 達林頓晶體管 Seven NPN Array | |
| 參數：制造商：STMicroelectronics，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：... | ||||||
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ULN2002AN | Texas Instruments | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 達林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 參數：制造商：Texas Instruments，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2002ANE4 | Texas Instruments | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 達林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 參數：制造商：Texas Instruments，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2002D1 | STMicroelectronics | SO-16 | 達林頓晶體管 Seven NPN Array | ||
| 參數：制造商：STMicroelectronics，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：... | ||||||
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ULN2002D1013TR | STMicroelectronics | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 11,484 | 達林頓晶體管 Seven NPN Array | |
| 參數：制造商：STMicroelectronics，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：... | ||||||
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ULN2003A | STMicroelectronics | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 9,173 | 達林頓晶體管 Seven NPN Array | |
| 參數：制造商：STMicroelectronics，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：... | ||||||
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ULN2003AD | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 1,358 | 達林頓晶體管 Darlington | |
| 參數：制造商：Texas Instruments，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003ADE4 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 達林頓晶體管 Darlington | ||
| 參數：制造商：Texas Instruments，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003ADG4 | Texas Instruments | SOIC-16 | 211 | 達林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | |
| 參數：制造商：Texas Instruments，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003ADR | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 88,325 | 達林頓晶體管 Darlington | |
| 參數：制造商：Texas Instruments，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003ADR2G | ON Semiconductor | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 47,967 | 達林頓晶體管 DARLINGTON TRNS ARRY | |
| 參數：制造商：ON Semiconductor，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，最大直流電集電極電流：0.5 A，最大... | ||||||
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ULN2003ADRE4 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 達林頓晶體管 Darlington | ||
| 參數：制造商：Texas Instruments，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003ADRG3 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 1 | 達林頓晶體管 Hi-Vltg,Hi-Current Darl Trans Array | |
| 參數：制造商：Texas Instruments，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：50 V，最大直流電集電... | ||||||
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ULN2003ADRG4 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 達林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 參數：制造商：Texas Instruments，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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