| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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ULN2003AIPWR | Texas Instruments | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） | 達林頓晶體管 Hi Vltg HiCrrnt Darl Transistor Array | ||
| 參數：制造商：Texas Instruments，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003AIPWRE4 | Texas Instruments | TSSOP-16 | 達林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 參數：制造商：Texas Instruments，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003AIPWRG4 | Texas Instruments | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） | 達林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 參數：制造商：Texas Instruments，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003AN | Texas Instruments | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 4,565 | 達林頓晶體管 Darlington | |
| 參數：制造商：Texas Instruments，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003ANE4 | Texas Instruments | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 達林頓晶體管 Darlington | ||
| 參數：制造商：Texas Instruments，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003ANSR | Texas Instruments | 16-SOIC（0.209"，5.30mm 寬） | 達林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 參數：制造商：Texas Instruments，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003ANSRE4 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.209"，5.30mm 寬） | 達林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 參數：制造商：Texas Instruments，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003ANSRG4 | Texas Instruments | 16-SOIC（0.209"，5.30mm 寬） | 達林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 參數：制造商：Texas Instruments，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003APG(5,M) | Toshiba | PDIP-16 | 達林頓晶體管 7CH. 50V/.5A IFD IC | ||
| 參數：制造商：Toshiba，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：50 V，最大直流電集... | ||||||
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ULN2003APG(C,N,HZA | Toshiba | DIP-16 | 達林頓晶體管 7-Circuit 2.7kOhm 500mA 50V VCE 1K HFE | ||
| 參數：制造商：Toshiba，RoHS：是，配置：Array，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1.6 V，功率耗散：1.47 W，最大工作溫度：... | ||||||
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ULN2003APG(O,M) | Toshiba | DIP-16 | 達林頓晶體管 7-ch 500mA 50V 2.7 kOhm 5V CMOS | ||
| 參數：制造商：Toshiba，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，功率耗散：0.76 W，最大工作溫度：+ 85 C，安裝... | ||||||
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ULN2003APG(O,NHZ) | Toshiba | DIP-16 | 391 | 達林頓晶體管 7-Ch 500mA 50V 2.7 kOhm 5V CMOS | |
| 參數：制造商：Toshiba，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，功率耗散：0.76 W，最大工作溫度：+ 85 C，安裝... | ||||||
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ULN2003APG(SC,M) | Toshiba | PDIP-16 | 達林頓晶體管 7CH. 50V/.5A IFD IC | ||
| 參數：制造商：Toshiba，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：50 V，最大直流電集... | ||||||
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ULN2003APW | Texas Instruments | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） | 達林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 參數：制造商：Texas Instruments，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003APWE4 | Texas Instruments | TSSOP-16 | 達林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 參數：制造商：Texas Instruments，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003APWG4 | Texas Instruments | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） | 達林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 參數：制造商：Texas Instruments，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003APWR | Texas Instruments | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） | 達林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 參數：制造商：Texas Instruments，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003APWRE4 | Texas Instruments | TSSOP-16 | 達林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 參數：制造商：Texas Instruments，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003APWRG4 | Texas Instruments | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） | 達林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays | ||
| 參數：制造商：Texas Instruments，產品種類：達林頓晶體管，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：5... | ||||||
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ULN2003D1 | STMicroelectronics | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | 達林頓晶體管 Seven NPN Array | ||
| 參數：制造商：STMicroelectronics，RoHS：是，配置：Array 7，晶體管極性：NPN，集電極—發射極最大電壓 VCEO：50 V，最大直流電集電... | ||||||
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