| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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BFU730F,115 | NXP Semiconductors | 4-DFP | 92,424 | 射頻硅鍺晶體管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS | |
| 參數：制造商：NXP，RoHS：是，發射極 - 基極電壓 VEBO：1 V，集電極連續電流：5 mA，功率耗散：197 mW，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：SO... | ||||||
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BFU760F,115 | NXP Semiconductors | 4-DFP | 1,293 | 射頻硅鍺晶體管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS | |
| 參數：制造商：NXP，RoHS：是，發射極 - 基極電壓 VEBO：1 V，集電極連續電流：70 mA，功率耗散：220 mW，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：S... | ||||||
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BFU790F,115 | NXP Semiconductors | 4-DFP | 16,801 | 射頻硅鍺晶體管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS | |
| 參數：制造商：NXP，RoHS：是，發射極 - 基極電壓 VEBO：1 V，集電極連續電流：100 mA，功率耗散：234 mW，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：... | ||||||
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BFU710F,115 | NXP Semiconductors | 4-DFP | 10,030 | 射頻硅鍺晶體管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS | |
| 參數：制造商：NXP，RoHS：是，發射極 - 基極電壓 VEBO：1 V，集電極連續電流：10 mA，功率耗散：136 mW，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：S... | ||||||
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BFR 740L3RH E6327 | Infineon Technologies | TSLP | 射頻硅鍺晶體管 NPN Silicn Germanium RF Transistor | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，功率耗散：160 mW，封裝形式：TSLP，包裝形式：Reel，最大工作溫度：+ 150 C，... | ||||||
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BFR 750L3RH E6327 | Infineon Technologies | 射頻硅鍺晶體管 NPN Silicn Germanium RF Transistor | |||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，包裝形式：Reel，系列：BFR750L3，工廠包裝數量：1，零件號別名：BFR750L3RH... | ||||||
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BFR 705L3RH E6327 | Infineon Technologies | PG-TSLP-3 | 射頻硅鍺晶體管 NPN Silicn Germanium RF Transistor | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，功率耗散：40 mW，封裝形式：TSLP，包裝形式：Reel，最大工作溫度：+ 150 C，最... | ||||||
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BFP 620 E7764 | Infineon Technologies | SOT-343 | 射頻硅鍺晶體管 NPN 2.3 V 80 mA | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發射極 - 基極電壓 VEBO：1.2 V，功率耗散：185 mW，安裝風格：SMD/SMT，... | ||||||
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BFP 620 H7764 | Infineon Technologies | 射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTOR | |||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，包裝形式：Reel，系列：BFP620，工廠包裝數量：3000，零件號別名：BFP620H77... | ||||||
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BFP 620F E7764 | Infineon Technologies | 4-TSFP | 射頻硅鍺晶體管 GP BJT NPN 2.3V 0.08A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發射極 - 基極電壓 VEBO：1.2 V，集電極連續電流：0.08 A，功率耗散：185 m... | ||||||
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BFP 620F H7764 | Infineon Technologies | 射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTOR | |||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，包裝形式：Reel，系列：BFP620，工廠包裝數量：3000，零件號別名：BFP620FH7... | ||||||
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BFP 640 E6327 | Infineon Technologies | SOT-343 | 射頻硅鍺晶體管 GP BJT NPN 4V 0.05A NPN 4V 0.05A | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發射極 - 基極電壓 VEBO：1.2 V，集電極連續電流：50 mA，功率耗散：200 mW... | ||||||
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BFP 640 H6327 | Infineon Technologies | 2000 | 射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTOR | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，包裝形式：Reel，系列：BFP640，工廠包裝數量：3000，零件號別名：BFP640H63... | ||||||
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BFP 640 H6433 | Infineon Technologies | PG-SOT343-3D | 射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTOR | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，包裝形式：Reel，工廠包裝數量：10000，零件號別名：BFP640H6433XT，... | ||||||
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BFP 640ESD E6327 | Infineon Technologies | 射頻硅鍺晶體管 Robust Hi Perform Lo Noise Bip RF Trans | |||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：BFP640ESDE6327XT，... | ||||||
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BFP 640ESD H6327 | Infineon Technologies | 311 | 射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTORS | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，系列：BFP640，零件號別名：BFP640ESDH6327XT BFP640ESDH6327XTS... | ||||||
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BFP 640F E6327 | Infineon Technologies | TSFP | 3 | 射頻硅鍺晶體管 TRANS GP BJT NPN 4V 0.05A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發射極 - 基極電壓 VEBO：1.2 V，集電極連續電流：0.05 A，功率耗散：200 m... | ||||||
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BFP 640F H6327 | Infineon Technologies | 射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTOR | |||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，包裝形式：Reel，系列：BFP640，工廠包裝數量：3000，零件號別名：BFP640FH6... | ||||||
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BFP 640FESD E6327 | Infineon Technologies | 4-TSFP | 射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTORS | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：BFP640FESDE6327XT，... | ||||||
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BFP 640FESD H6327 | Infineon Technologies | 射頻硅鍺晶體管 RF BI | |||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，系列：BFP640，零件號別名：BFP640FESDH6327XT BFP640FESDH6327X... | ||||||
