| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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BFP 650 E6327 | Infineon Technologies | SOT-343 | 射頻硅鍺晶體管 GP BJT NPN 4V 0.15A NPN 4V 0.15A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1.2 V，集電極連續(xù)電流：0.15 A，功率耗散：500 m... | ||||||
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BFP 650 H6327 | Infineon Technologies | SOT-343 | 射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTOR | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1.2 V，集電極連續(xù)電流：150 mA，功率耗散：500 m... | ||||||
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BFP 650F E6327 | Infineon Technologies | 4-TSFP | 射頻硅鍺晶體管 NPN Silicn Germanium RF Transistor | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，功率耗散：500 mW，封裝形式：TSFP，包裝形式：Reel，最大工作溫度：+ 150 C，... | ||||||
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BFP 650F H6327 | Infineon Technologies | 射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTOR | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，包裝形式：Reel，系列：BFP650，零件號別名：BFP650FH6327XT BFP650... | ||||||
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BFP 720 E6327 | Infineon Technologies | 射頻硅鍺晶體管 RF BIPOLAR TRANSISTR | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：BFP720E6327XT，... | ||||||
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BFP 720 H6327 | Infineon Technologies | 4075 | 射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTOR | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，包裝形式：Reel，系列：BFP720，零件號別名：BFP720H6327XT BFP720H... | ||||||
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BFP 720ESD E6327 | Infineon Technologies | 射頻硅鍺晶體管 Robust Hi Perform Lo Noise Bip RF Trans | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：BFP720ESDE6327XT，... | ||||||
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BFP 720ESD H6327 | Infineon Technologies | 2935 | 射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTORS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，系列：BFP720，零件號別名：BFP720ESDH6327XT BFP720ESDH6327XTS... | ||||||
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BFP 720F E6327 | Infineon Technologies | 4-TSFP | 射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTORS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1.2 V，集電極連續(xù)電流：25 mA，功率耗散：100 mW，安裝風格：SMD/SMT... | ||||||
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BFP 720F H6327 | Infineon Technologies | TSFP-4-1 | 815 | 射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTOR | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1.2 V，集電極連續(xù)電流：25 mA，功率耗散：100 mW... | ||||||
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BFP 720FESD E6327 | Infineon Technologies | 4-TSFP | 射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTORS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，集電極連續(xù)電流：30 mA，功率耗散：100 mW，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：TSFP-4-1，包裝形式：Re... | ||||||
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BFP 720FESD H6327 | Infineon Technologies | TSFP-4-1 | 射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTORS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，集電極連續(xù)電流：30 mA，功率耗散：100 mW，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：TSFP-4-1，包... | ||||||
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BFP 740 E6327 | Infineon Technologies | SOT-343 | 射頻硅鍺晶體管 TRANS GP BJT NPN 4V 0.03A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1.2 V，集電極連續(xù)電流：0.03 A，功率耗散：160 m... | ||||||
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BFP 740 H6327 | Infineon Technologies | 2757 | 射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTOR | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，包裝形式：Reel，系列：BFP740，零件號別名：BFP740H6327XT BFP740H... | ||||||
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BFP 740ESD H6327 | Infineon Technologies | SOT343-3 | 射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTORS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，集電極連續(xù)電流：45 mA，功率耗散：160 mW，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：SOT343-3，包裝形式：Re... | ||||||
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BFP 740F E6327 | Infineon Technologies | 4-TSFP | 射頻硅鍺晶體管 TRANS GP BJT NPN 4V 0.03A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1.2 V，集電極連續(xù)電流：30 mA，功率耗散：160 mW... | ||||||
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BFP 740F H6327 | Infineon Technologies | TSFP-4 | 4862 | 射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTOR | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1.2 V，集電極連續(xù)電流：30 mA，功率耗散：160 mW... | ||||||
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BFP 740FESD E6327 | Infineon Technologies | 4-TSFP | 射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTORS | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：BFP740FESDE6327XT，... | ||||||
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BFP 740FESD H6327 | Infineon Technologies | 射頻硅鍺晶體管 RF BI | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，系列：BFP740，零件號別名：BFP740FESDH6327XT BFP740FESDH6327X... | ||||||
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NESG2021M05 | CEL | M05 | 射頻硅鍺晶體管 RO 551-NESG2021M05-A | ||
| 參數(shù)：制造商：CEL，RoHS：否，功率耗散：175 mW，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：M05，工廠包裝數(shù)量：50，... | ||||||
