1N5617E3

廠家：: Microchip Technology
封裝：
數(shù)量：: 3399
說明：: DIODE GEN PURP 400V 1A A AXIAL

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1N5617E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結封裝：A，軸向
封裝/外殼：A，軸向
安裝類型：通孔
不同?Vr、F 時電容：35pF @ 12V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：500 nA @ 400 V
反向恢復時間 (trr)：150 ns
速度：快速恢復 = 200mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：800 mV @ 3 A
電流 - 平均整流 (Io)：1A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：400 V
技術：標準
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：袋
品牌：Microchip Technology

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