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1N5806USE3

廠家：: Microchip Technology
封裝：
數(shù)量：: 3426
說(shuō)明：: DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A

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1N5806USE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：D-5A
封裝/外殼：SQ-MELF，A
安裝類(lèi)型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時(shí)電容：25pF @ 10V，1MHz
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：1 μA @ 150 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：25 ns
速度：快速恢復(fù) = 200mA（Io）
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：975 mV @ 2.5 A
電流 - 平均整流 (Io)：1A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：150 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：散裝
品牌：Microchip Technology

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