1N914B A0G

廠家：: Taiwan Semiconductor Corporation
封裝：: DO-35
數量：: 2034
說明：: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

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中文參數如下：
封裝工作溫度 - 結封裝：DO-35
封裝/外殼：DO-204AH，DO-35，軸向
安裝類型：通孔
不同?Vr、F 時電容：4pF @ 0V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：5 μA @ 75 V
反向恢復時間 (trr)：4 ns
速度：小信號 =< 200mA（Io），任意速度
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：720 mV @ 5 mA
電流 - 平均整流 (Io)：150mA
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：100 V
技術：標準
產品狀態：在售
包裝：-
系列：帶盒（TB）
品牌：Taiwan Semiconductor Corporation

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