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中文參數如下:
工廠包裝數量:2000
包裝形式:Box
直流電流增益 hFE 最大值:40
封裝形式:TO-18
安裝風格:Through Hole
直流集電極/Base Gain hfe Min:20
增益帶寬產品fT:400 MHz
集電極—射極飽和電壓:15 V
發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V
集電極—基極電壓 VCBO:40 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:過渡期間
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Central Semiconductor
以上是2N2368的詳細信息,包括2N2368廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!