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中文參數如下:
工廠包裝數量:2500
包裝形式:Box
最小工作溫度:- 65 C
最大功率耗散:625 mW
直流電流增益 hFE 最大值:480
集電極連續電流:0.2 A
封裝形式:TO-92
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:120
增益帶寬產品fT:250 MHz
最大直流電集電極電流:0.2 A
集電極—射極飽和電壓:25 V
發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V
集電極—基極電壓 VCBO:25 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:否
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Central Semiconductor
以上是2N4126的詳細信息,包括2N4126廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!