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中文參數如下:
電阻汲極/源極 RDS(導通):40 Ohms
功率耗散:360 mW
最大工作溫度:+ 200 C
最大漏極/柵極電壓:40 V
閘/源截止電壓:2 V to 6 V
封裝形式:TO-18
安裝風格:Through Hole
配置:Single
閘/源擊穿電壓:40 V
漏源電壓 VDS:40 V
漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):20 mA to 100 mA
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Central Semiconductor
以上是2N4857A的詳細信息,包括2N4857A廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!