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中文參數如下:
最小工作溫度:- 65 C
最大功率耗散:1 mW
封裝形式:TO-39
最大工作溫度:+ 200 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:10 at 5 mA at 25 V, 35 at 30 mA at 25 V, 35 at 100 mA at 25 V
增益帶寬產品fT:30 MHz (Min)
最大直流電集電極電流:0.15 A
發射極 - 基極電壓 VEBO:7 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:300 V
集電極—基極電壓 VCBO:300 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:是
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Central Semiconductor
以上是2N5058的詳細信息,包括2N5058廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!