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中文參數如下:
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:625 mW
直流電流增益 hFE 最大值:80 at 1 mA at 5 V
封裝形式:TO-92
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
增益帶寬產品fT:300 MHz
最大直流電集電極電流:0.6 A
發射極 - 基極電壓 VEBO:6 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:160 V
集電極—基極電壓 VCBO:180 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是2N5551_D10Z的詳細信息,包括2N5551_D10Z廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!