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2N5819

廠家：: Central Semiconductor
封裝：: TO-92
數量：: 8649
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Med Power

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2N5819 PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：2000
包裝形式：Box
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：625 mW
封裝形式：TO-92
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：150 at 2 mA at 2 V
增益帶寬產品fT：135 MHz
最大直流電集電極電流：0.75 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：- 5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：40 V
集電極—基極電壓 VCBO：50 V
晶體管極性：PNP
RoHS：過渡期間
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Central Semiconductor

以上是2N5819的詳細信息，包括2N5819廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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