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2N930B

廠家：
  Central Semiconductor
封裝：
 TO-18
數量：
 2038  
說明：
 兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS
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2N930B-TO-18圖片

2N930B PDF參數資料

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中文參數如下：

包裝形式：Box
直流電流增益 hFE 最大值：300
封裝形式：TO-18
安裝風格：Through Hole
直流集電極/Base Gain hfe Min：100
增益帶寬產品fT：45 MHz
集電極—射極飽和電壓：45 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：6 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：45 V
集電極—基極電壓 VCBO：60 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Central Semiconductor

以上是2N930B的詳細信息，包括2N930B廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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