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2SA1160-B(TE6,F,M)

廠家：: Toshiba
封裝：: LSTM
數量：: 6192
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP 10V 2A Transistor

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2SA1160-B(TE6,F,M) PDF參數資料

中文參數如下：

工廠包裝數量：3000
最大功率耗散：900 mW
封裝形式：LSTM
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：200 at 0.5 A at 1V
增益帶寬產品fT：140 MHz (Typ)
最大直流電集電極電流：2 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：6 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：10 V
集電極—基極電壓 VCBO：20 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Toshiba

以上是2SA1160-B(TE6,F,M)的詳細信息，包括2SA1160-B(TE6,F,M)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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