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中文參數如下:
包裝形式:Tube
最大功率耗散:5 W
直流電流增益 hFE 最大值:240
集電極連續電流:50 mA
封裝形式:2-8H1A
安裝風格:Through Hole
直流集電極/Base Gain hfe Min:80
增益帶寬產品fT:200 MHz
發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:150 V
集電極—基極電壓 VCBO:150 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:是
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Toshiba
以上是2SC3423-Y(Q)的詳細信息,包括2SC3423-Y(Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!