中文參數如下:
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:130000 mW
封裝形式:TO-3P
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:80
增益帶寬產品fT:30 MHz
最大直流電集電極電流:15 A
發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:230 V
集電極—基極電壓 VCBO:230 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:否
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Toshiba
以上是2SC5242-O的詳細信息,包括2SC5242-O廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!