中文參數如下：
工廠包裝數量：100
最大功率耗散：75000 mW
封裝形式：TO-3
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：22 at 2 A at 5 V
增益帶寬產品fT：2 MHz (Typ)
最大直流電集電極電流：15 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：800 V
集電極—基極電壓 VCBO：1700 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Toshiba
以上是2SC5588(Q,M)的詳細信息，包括2SC5588(Q,M)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
