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中文參數如下:
工廠包裝數量:50
包裝形式:Bulk
最大功率耗散:30000 mW
封裝形式:TO-220 NIS
安裝風格:Through Hole
直流集電極/Base Gain hfe Min:70
增益帶寬產品fT:12 MHz
最大直流電集電極電流:5 A
發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:100 V
集電極—基極電壓 VCBO:100 V
晶體管極性:NPN
RoHS:是
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Toshiba
以上是2SD1407A-O(F)的詳細信息,包括2SD1407A-O(F)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!