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中文參數如下:
FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點:標準型
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 歐姆 @ 10mA, 5V
漏極至源極電壓(Vdss):30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:100mA
Id 時的 Vgs(th)(最大):2V @ 1µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:-
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :-
功率 - 最大:150mW
安裝類型:表面貼裝
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