中文參數如下:
工廠包裝數量:50
上升時間:15 ns
功率耗散:45 W
下降時間:25 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-220 NIS
安裝風格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.045 Ohms
漏極連續電流:20 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:- 60 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是2SJ349(F,T)的詳細信息,包括2SJ349(F,T)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!