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中文參數如下:
FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C210 毫歐 @ 6A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)100V
Id 時的 Vgs(th)(最大)2V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs48nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C12A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 1100pF @ 10V
功率 - 最大35W
安裝類型通孔
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