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中文參數(shù)如下:
工廠包裝數(shù)量:50
上升時(shí)間:20 ns
功率耗散:150 W
下降時(shí)間:30 ns
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-3P
安裝風(fēng)格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):1.7 Ohms
漏極連續(xù)電流:8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:1000 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是2SK2613(F)的詳細(xì)信息,包括2SK2613(F)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!