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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:26 ns
工廠包裝數量:2500
上升時間:12 ns
功率耗散:20 W
下降時間:34 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:CPT3
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.7 Ohms
漏極連續電流:3 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ROHM Semiconductor
以上是2SK2887TL的詳細信息,包括2SK2887TL廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!