中文參數如下：
工廠包裝數量：25
上升時間：105 ns
功率耗散：250 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：65 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-3P
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.11 Ohms
漏極連續電流：50 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Toshiba
以上是2SK3131(Q)的詳細信息，包括2SK3131(Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
